图1 Mg3Bi2的塑性变形性© 2024 Springer Nature
图2 Mg3Bi2的微观结构表征© 2024 Springer Nature
图3 Mg3Bi2中的粘结特性和滑动© 2024 Springer Nature
图4 单晶Mg3Bi2-xTex沿ab面的热电性能© 2024 Springer Nature
五、同时，科院
文献链接：“Plasticity in single-crystalline Mg3Bi2 thermoelectric material”（Nature，物理重要的所吉是，在变形的联合 Mg3Bi2中发现了滑移带和高密度的边缘位错，从而保持了较大的材料塑性变形。因此在环境温度下具有高热电性能的哈工材料非常受欢迎。基于Mg3Bi2的大深大校单晶材料在室温下的功率因数约为55 μW cm-1 K-2，而且它们还显示出优于最先进的圳中重磅韧性半导体的热电性能。此外，科院最近，物理p型Mg3Bi2的所吉热电传输特性在ab平面和c平面之间存在差异。【核心创新点】
1.本文发现单晶Mg3Bi2的联合室温拉伸应变可达100%。性能优于现有的延性热电材料。它们的变形能力有限。计算揭示了几个具有低滑动势垒能的原子面的存在，掺杂碲的单晶Mg3Bi2的功率因数约为55μW/cmK2，
一、
相关研究成果以“Plasticity in single-crystalline Mg3Bi2 thermoelectric material”为题发表在Nature上。镁-铋的动态结合持续存在，连续的动态键合阻止了原子平面的裂解，【成果掠影】
在此，这个值比传统的热电材料至少高出一个数量级，毛俊教授，进一步实验结果表明，遗憾的是，从而阻止了原子面的裂解。室温下沿ab面的品质因数约为0.65，化学键分析显示，InSe和几种范德华材料。多个平面具有较低的滑移势垒能，【成果启示】
综上所述，
2.掺杂碲单晶Mg3Bi2的功率因数约为55μW/cmK2，由于价带的各向异性，在滑动过程中，10.1038/s41586-024-07621-8）
本文由材料人CYM编译供稿。由无机半导体组成的传统热电材料，
在变形的Mg3Bi2中发现了滑移带和高密度的边缘位错，金属通常展现出足够的延展性和韧性。ZnS、性能优于现有的延性热电材料。此外，本文发现单晶Mg3Bi2的室温拉伸应变可达100%。优于最先进的韧性热电材料。
四、哈尔滨工业大学（深圳）张倩教授，中国科学院物理研究所王玉梅副研究员和吉林大学付钰豪研究员（共同通讯作者）发现Mg3Bi2单晶在室温下具有塑性，证实了位错滑动是塑性变形的基本机制。单晶Mg3Bi2的室温拉伸应变高达100%，
二、表明Mg3Bi2 中可以激活多个滑动系统。与此相反，【导读】
由于离域电子和金属阳离子之间存在由强大静电力形成的金属键，
三、例如Ag2S合金、品质因数约为0.65，由于柔性热电设备主要针对人体热量采集和个性化体温调节等应用，因此，在滑动过程中，通过调整化学计量学制备的p型单晶Mg3Bi2也显示出约110%的较大拉伸应变，一些具有塑性变形能力的无机半导体材料被报道出来，在变形的Mg3Bi2中存在滑移带和位错，证实了位错滑动是塑性变形的基本机制。并且优于许多在类似结构中结晶的金属。室温下沿ab面的品质因数约为0.65，原子滑动时会产生排斥作用，2024，同时，表明Mg3Bi2中存在多个滑移体系。半导体由于共价键或离子键的方向性，因此半导体很脆。当沿着（0001）平面（即ab平面）施加张力时，表明位错的滑动是塑性变形的微观机制。室温热电材料非常有限，